磁控溅射镀锗膜、二氧化硅膜的工艺参数是多少?作为参考!

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/04/20 15:40:58

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磁控溅射镀锗膜、二氧化硅膜的工艺参数是多少?作为参考!

磁控溅射镀锗膜、二氧化硅膜的工艺参数是多少?作为参考!
你先做硅靶的分压
先通一定量的AR,达到你工艺需要的真空度以后,(一般0.3-0.5Pa）在通入O2,我不知道你设备的大小,要是设备大的话以10为单位,10、20、30.一点点的加,要是小的话,就以2为单位一点点的加2、4、6、8、.（氩气的进气量不变,只改变氧气的进气量）,做好记录,每增加一次氧气就记录一次,氧气到一定量后靶电压会骤降,(会降很多,此时靶电压会很低,在加氧气就没有意义了,氧气过量靶会中毒,所以要控制好)此时靶电压的最低点应该就是你要的纯氧化硅了.
这只是工艺的过程,具体需要什么参数,还要你自己去做实验.(设备不同,参数不同)

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