用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/04/29 23:02:52

用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源
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用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源
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四探针法是测量一恒流源在样品不同位置引起的电位差得出材料的电阻率 . 为获得精确的测试结果,必须保持四根探针和样品表面良好、稳定的弹性接触. 它要求探针比较尖及保持适当的接触压力,这就常常造成材料表面损伤并使测量值易受外界干扰,这种情况在测量薄条带或薄膜样品时更为明显. 另外,虽然测量电流很小( < 100 mA) ,但探针与样品接触的面积也很小,由局部热效应产生的电动势有时能达到被测量信号的量级...

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四探针法是测量一恒流源在样品不同位置引起的电位差得出材料的电阻率 . 为获得精确的测试结果,必须保持四根探针和样品表面良好、稳定的弹性接触. 它要求探针比较尖及保持适当的接触压力,这就常常造成材料表面损伤并使测量值易受外界干扰,这种情况在测量薄条带或薄膜样品时更为明显. 另外,虽然测量电流很小( < 100 mA) ,但探针与样品接触的面积也很小,由局部热效应产生的电动势有时能达到被测量信号的量级. 虽然改变电流方向可以抵偿大部分热电势影响 ,但对于电阻率的细微变化,还是不易得到好的结果,且不宜连续测量. 在此基础上发展起来的交流四探针方法[17 ] ,能够消除电接触区的热电势,但它对交流电流源和检测信号的交流放大器稳定性的要求极为严格,且仍存在接触稳定性问题. 这些因素造成四探针法对于电阻值的微小变化不敏感,阻碍了仔细分析材料组织结构的微弱变化过程

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用四探针法测量金属薄膜电阻率时可能产生误差的根源 谁知道测量电阻率的“四探针法”英文怎么说? 四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻的问题?为什麽要用四探针进行测量,如果只用两根探针既作电流探针又作电压探针,是否能够对样品进行较为准确的测量? 金属薄膜电阻率测量实验为什么要求测量同一电流状况下正反电压金属薄膜电阻率测量实验为什么要求测量同一电流状况下正反向电压再去平均值,不这样做会产生什么误差 可以采用四探针法测试出薄膜的电阻率,然后根据电阻率计算电导率吗?可以采用四探针法测试出薄膜的电阻率,然后根据电阻率计算电导率,这样得到的电导率为质子电导率.这种方法可以吗? 直流四探针法测量半导体的电阻率的原理是什么?有什么需要注意的嘛? 电池片的电阻率用四探针怎么测 四探针法中,方块电阻就是表面电阻率吗?可以采用这种四探针法直接测试薄膜的表面电阻率吗?如果可以,是直接读出的那个数值吗?还是有其他的计算公式呢?公式是什么? 怎么测量半导体薄膜的电阻率 四探针可以测铝之类的金属的电阻率吗?是不是铝是导体,不能测呢? 硅单晶电阻率测定方法如何提高测试的精确度?为什么需要对厚度进行修正?(四探针法) 为什么金属薄膜厚度越厚金属薄膜电阻率越小 金属电阻率设计测量方案急要啊 银的自由电子的平均自由程是多少?金属薄膜电阻率的测量,我知道金是40nm左右...不是薄膜的,是块体材料的平均自由程,银比金导电率小,自由程也应该比金小才对啊? 四探针测试仪测硅片电阻率测的是N型面的吗 测量金属电阻率是用分压法还是限流法还是不一定?请说明理由, 测金属导体材料电阻率时,电阻测量系统误差应为多少? 4探针测硅片电阻率一定要